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半導(dǎo)體材料のための中國(guó)の機(jī)會(huì)

ウェブサイトエディタ:TDG-NISSIN プレシジョンテクノロジー株式會(huì)社 │ リリース時(shí)間:2019-05-26 


出典:內(nèi)容は "東莞証券"から來ている、ありがとう。


はじめに:

 

數(shù)日前、「2019年中國(guó)の第3世代半導(dǎo)體材料業(yè)界の進(jìn)化と投資価値調(diào)査」ホワイトペーパーは、2019年世界半導(dǎo)體會(huì)議で発表されました。 レポートによると、2018年に、5G、新エネルギー車、グリーン照明および他の新興分野の二重推進(jìn)力、そして國(guó)家政策の強(qiáng)力な支持の下で、中國(guó)の第3世代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)は急速な成長(zhǎng)を維持し続け、全體の市場(chǎng)規(guī)模は597百萬元に達(dá)した。 、47.3%の増加。


中國(guó)の第3世代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)の規(guī)模は今後3年間で20%以上の平均成長(zhǎng)率を維持し、2021年までに11.9億元に達(dá)すると予想されています。 第三世代の半導(dǎo)體材料は、優(yōu)れた性能とエネルギーバンド構(gòu)造を持ち、RFデバイス、オプトエレクトロニクスデバイス、パワーデバイスなどの製造に広く使用され、5G通信や新エネルギー自動(dòng)車などの新興市場(chǎng)に徐々に浸透し、半導(dǎo)體産業(yè)における重要な発展と考えられています方向。


現(xiàn)在、世界の第三世代半導(dǎo)體材料の炭化ケイ素生産の70-80%は米國(guó)から來ています。 中國(guó)と米國(guó)の間の貿(mào)易摩擦が続いていることを背景に、第三世代の半導(dǎo)體材料の局在化の置き換えプロセスが加速すると予想されています。



アナリスト:李龍海


半導(dǎo)體材料:高い技術(shù)的障壁、輸入に対するハイエンド依存


半導(dǎo)體材料とは、金屬と絶縁體との間の導(dǎo)電性を有する材料をいい、半導(dǎo)體材料の導(dǎo)電率は、オーム/ cmであり、一般に、溫度が高いほど導(dǎo)電率は高くなる。 半導(dǎo)體材料は、トランジスタ、集積回路、パワーエレクトロニクス、および光電子デバイスを製造するための重要な材料です。


半導(dǎo)體材料市場(chǎng)は、ウェハ材料とパッケージ材料市場(chǎng)に分けることができます。 このうち、ウエハ材料としては、主にシリコンウエハ、フォトマスク、フォトレジスト、フォトレジスト補(bǔ)助裝置、濕式法、スパッタリングターゲット、研磨液などが挙げられる。 包裝材料は、主に、積層基板、リードフレーム、ボンディングワイヤ、成形コンパウンド、アンダーフィル、液體封入剤、ダイボンディング材料、はんだボール、ウェハレベルの包裝媒體、およびサーマルインターフェース材料を含む。



半導(dǎo)體材料の自給率が低い


半導(dǎo)體材料の分野では、ハイエンド製品の高度な技術(shù)的障壁と長(zhǎng)期的な研究開発投資と國(guó)內(nèi)企業(yè)の蓄積の欠如のために、中國(guó)の半導(dǎo)體材料は主に國(guó)際分業(yè)の中低価格域にあり、ハイエンド製品市場(chǎng)は主にヨーロッパ、アメリカ、韓國(guó)、臺(tái)灣などの少數(shù)の國(guó)際企業(yè)によって獨(dú)占されている。 例えば、シリコンウェハの世界市場(chǎng)における上位6社の市場(chǎng)シェアは90%以上、フォトレジストの世界市場(chǎng)における上位5社の市場(chǎng)シェアは80%以上、高純度試薬の世界市場(chǎng)における上位6社の市場(chǎng)シェアは80%です。 上記では、CMP材料の世界市場(chǎng)における上位7社の市場(chǎng)シェアは90%です。


國(guó)內(nèi)製品の大部分は自給率が30%未満で、そのほとんどが技術(shù)的障壁の低い包裝材料であり、ウェーハ製造材料のローカライズ率は主に輸入に依存しています。 さらに、國(guó)內(nèi)の半導(dǎo)體材料企業(yè)は6インチ以下の生産ラインに集中しており、少數(shù)の製造業(yè)者が國(guó)內(nèi)の8インチ、12インチ生産ラインに參入し始めています。


大型シリコンウェーハ:シリコンウェハは、シリコンウェハとも呼ばれ、研磨ウェハ、アニールシート、エピタキシャルウェハ、セグメントスペーサ、シリコンオンインシュレータウェハなどの最も重要な半導(dǎo)體材料であり、中でも研磨ウェハが最も多く使用されています。 それらはすべて磨かれたシートを基にした二次加工によって製造されています。 シリコンウェーハの市場(chǎng)売上高は、半導(dǎo)體材料市場(chǎng)の総売上高の32%から40%を占めています。


シリコンウェハの直徑は、主に3インチ、4インチ、6インチ、8インチ、12インチ(300mm)であり、18インチ(450mm)に開発されている。 直徑が大きくなればなるほど、より多くの集積回路チップを1つのプロセスサイクルで単一のウェハ上に製造することができ、チップ當(dāng)たりのコストが低くなる。 したがって、より大きな直徑のシリコンウェハは、シリコンウェハのための様々な技術(shù)の開発方向である。 しかしながら、シリコンウェハのサイズが大きくなればなるほど、マイクロエレクトロニクスプロセス設(shè)計(jì)、材料および技術(shù)に対する要求が高くなる。



シリコンウエハーは技術(shù)的な障壁が非常に高く、世界市場(chǎng)は寡占的なパターンにあり、日本の信越とSUMCO(三菱シリコンマテリアルと住友マテリアルシチックス事業(yè)部が合同)はそれぞれ約30%を占め、大きなシェアを占めています。 その他の主要企業(yè)には、Siltroni(ドイツの化學(xué)會(huì)社Wackerの子會(huì)社)、韓國(guó)のLGSiltron、US MEMC、および臺(tái)灣のSino-US Silicon Crystals SASがあります。 上記6社のサプライヤが合わせて世界市場(chǎng)シェアの90%以上を占めています。



現(xiàn)在、國(guó)內(nèi)の8インチウェーハメーカーは國(guó)內(nèi)市場(chǎng)を満足させるには程遠(yuǎn)いNew MaterialsやJinruiのような少數(shù)のメーカーしか持っておらず、12インチのシリコンウェーハは基本的に輸入されており、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界では欠けていると言える。 リング


Shanghai Xinyangの株主であるShanghai Xinyang(27.56%を保有)は、300mm半導(dǎo)體ウェハのローカライズを達(dá)成しました。 2017年第2四半期以降、同社はフィルム、フィルム、フィルムなどのテストピースを販売し、SMIC、Shanghai Hualiwei、Wuhan Xinxinなどのウェハ製造會(huì)社にポジティブフィルム認(rèn)証を提供しています。


2018年の第1四半期末に、上海新盛300mmウエハーは上?;ㄉ彞蕙ぅ恁ē欹去恁衰梗ㄖ辏─握J(rèn)証を受け、販売を開始しました。 2018年12月20日、Shanghai Xinyangは、インタラクティブプラットフォームで、Shanghai Xinsheng Companyの大型シリコンウェハがSMIC認(rèn)証を通過したことを明らかにしました。 上海新盛は2018年末までに月産10萬個(gè)の生産能力を持つ。2020年末までに月産30萬個(gè)の生産能力を達(dá)成し、最終的には100萬個(gè)の生産能力に達(dá)する。


現(xiàn)在の主流ウェハ製品は12インチで、SUMCOの予測(cè)によると、300mmの総需要は2018年の月産600萬個(gè)から2021年の月産720萬個(gè)に増加し、約6%の成長(zhǎng)が見込まれています。 2013年から2018年にかけての全世界の半導(dǎo)體出荷臺(tái)數(shù)は順調(diào)に伸び、2018年の全世界の出荷臺(tái)數(shù)は12,733百萬平方フィートで、前年比7.82%の増加となった。



超クリーン高純度試薬:濕式化學(xué)とも呼ばれ、主成分の純度が99.99%を超え、不純物イオンと粒子數(shù)が厳しい要件を満たす化學(xué)試薬を指します。 前処理、ろ過、精製、その他の高純度品を製造するためのプロセスの後、主に上流の硫酸、塩酸、フッ化水素酸、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アセトン、エタノール、イソプロパノールなどを原料として使用する。 主に半導(dǎo)體分野のチップの洗浄やエッチングに使用されており、シリコンウェーハの洗浄にも重要な役割を果たしています。 その純度と清浄度は、集積回路の歩留まり、電気的性能および信頼性に大きな影響を與えます。


SEMI(International Semiconductor Equipment and Materials Association)は、超クリーンで高純度の試薬の國(guó)際的に統(tǒng)一された標(biāo)準(zhǔn)(SEMI標(biāo)準(zhǔn))の開発と仕様を?qū)熼Tとしています。 SEMIグレードの分類によると、G1グレードはローエンド製品に屬し、G2グレードはミディアムからローエンド製品に屬し、G3グレードはミディアムからハイエンド製品に屬し、G4およびG5グレードはハイエンド製品に屬します。 集積回路の製造に対する要求が高まるにつれて、そのプロセスにおいて要求される濕式電子化學(xué)物質(zhì)の純度に対する要求が高まり続けている。 半導(dǎo)體材料の分野では、12インチプロセスにおける濕式電子化學(xué)物質(zhì)の技術(shù)レベルは一般にG3レベルを上回っています。


半導(dǎo)體用の超高純度高純度試薬、世界の主要企業(yè)は、BASF、Ashley Chemical、Arch Chemistry、Kanto Chemical、三菱化學(xué)、Kyoto Chemical、Sumitomo Chemical、およびWako Pure Chemical Industries、臺(tái)灣Xinlin Technology、韓國(guó)を含みます。 Dongyou Fine Chemicalsなど、これらの企業(yè)は世界市場(chǎng)シェアの85%以上を占めています。



現(xiàn)在、中國(guó)には、國(guó)際基準(zhǔn)を満たし、かつ一定量の超クリーンで高純度の試薬を製造している企業(yè)が30社以上あり、國(guó)內(nèi)の超クリーン高純度試薬製品の技術(shù)グレードは、主に國(guó)內(nèi)の江華マイクロクリスタルG2以下に集中しています。 Ruiqiおよび他の企業(yè)のいくつかの製品はG3およびG4レベルに達(dá)し、Jingruiの超純粋過酸化水素はG5レベルに達(dá)し、そしていくつかの製品はすでに輸入代替を達(dá)成している。


6インチおよび6インチウェハ市場(chǎng)における國(guó)內(nèi)出資企業(yè)による超高純度高純度試薬のローカライゼーション率は80%に上昇しました。一方、8インチおよび8インチウェハ処理市場(chǎng)においては、ローカライゼーション率は2012年です。 2014年には、年間の約8%がゆっくりと約10%に成長(zhǎng)しました。 超クリーン高純度試薬容量の面では、Jingruiの生産能力は38700トンであり、そしてJianghuaの微小容量は32,400トンです。


電子ガス:電子ガスは、電子製品製造プロセスにおけるフィルム、エッチング、ドーピングなどのプロセスにおいて広く使用されており、半導(dǎo)體およびフラットディスプレイなどの材料の「食品」および「供給源」と呼ばれている。 電子特殊ガスは、半導(dǎo)體産業(yè)において、ドーピングガス、エピタキシャルガス、イオン注入ガス、LEDガス、エッチングガス、化學(xué)気相析出ガス、キャリアおよび希釈ガスなどに分類することができる。 適用される110種類以上の電子ガスがあり、20-30種類が一般的に使用されています。



主な企業(yè)は、アメリカンエアケミカル、アメリカンプラクセア、ドイツリンデグループ、フレンチエアリキード、日本大陽ニッポン酸(株)であり、世界のシェアの90%以上を占めています。 企業(yè)はまた、中國(guó)の電子特殊ガスの主な市場(chǎng)シェアを占めています。


國(guó)內(nèi)の電子ガスは一定の市場(chǎng)占有率を占め始めており、何年かの開発の後、いくつかの國(guó)內(nèi)企業(yè)はいくつかの製品の技術(shù)的困難を克服した。


四川省Kemetが製造した四フッ化炭素はTSMCの12インチTainan 28nmウェーハ処理製造ラインに入り、現(xiàn)在は上場(chǎng)企業(yè)Jacques Technologyに買収され、Jinhong Gasは獨(dú)自に7N電子グレード超純アンモニアを開発し、外國(guó)獨(dú)占を破った。 技術(shù)、ナンダオプトエレクトロニクス、Juhua株。


ターゲット:半導(dǎo)體業(yè)界では、ターゲットはスパッタリングプロセスにおいて欠くことのできない原材料です。 スパッタリングプロセスは、電子薄膜材料を調(diào)製するための主要な技術(shù)の1つであり、イオン源によって発生したイオンを使用して固體表面に衝撃を與え、固體表面上の原子を固體から離して基板の表面に堆積させる。


ターゲットは、金屬ターゲット(純金屬アルミニウム、チタン、銅、タンタルなど)、合金ターゲット(ニッケル - クロム合金、ニッケル - コバルト合金など)、およびセラミック化合物ターゲット(酸化物、ケイ化物、炭化など)に分けられます。 物質(zhì)、硫化物など) 半導(dǎo)體ウェハの製造において、200nm(8インチ)以下のウェハ製造は通常アルミニウムをベースとしており、使用されるターゲットは主にアルミニウムおよびチタンである。 主に銅とタンタルのターゲットを使用した、高度な銅配線技術(shù)を使用した300nm(12インチ)ウェハ製造。



半導(dǎo)體チップは、スパッタリングターゲットの純度と內(nèi)部の微細(xì)構(gòu)造に関して極めて厳しい基準(zhǔn)を設(shè)定しており、米國(guó)と日本の多國(guó)籍企業(yè)、中國(guó)の超高純度金屬材料とスパッタリングターゲットによって獨(dú)占されてきました。 木材は輸入に大きく依存しています。 現(xiàn)在、Jiangfeng Electronic Productsは、TSMC、SMIC、三菱などのワールドクラスのウエハ処理企業(yè)のサプライチェーンに參入し、16nmテクノロジノードで量産を達(dá)成し、日米の多國(guó)籍企業(yè)の獨(dú)占を打ち破り、中國(guó)を埋め盡くしました。 電子材料産業(yè)におけるギャップ


フォトレジスト:紫外線、エキシマレーザー、電子ビーム、イオンビーム、またはX線などの光源の照射または照射によってその溶解度が変化する耐エッチング性フィルム材料。


溶解度が変化する耐エッチング膜材料。 現(xiàn)像中の露光領(lǐng)域の除去または保持により、ポジ型フォトレジストとネガ型フォトレジストに分類される。 解像度が高くなるにつれて、フォトレジストの露光波長(zhǎng)は紫外ブロードスペクトルからG線(436nm)→I線(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)→極に短波長(zhǎng)化する。 紫外線EUVの方向はシフトする。


中國(guó)のフォトレジスト製造は基本的に外資によって管理されており、ローエンド市場(chǎng)に集中しています。 中國(guó)の産業(yè)情報(bào)によると、2015年の中國(guó)のフォトレジスト生産量は97,500トンで、そのうちローエンド製品のPCBフォトレジスト生産量は94.4%で、LCDおよび半導(dǎo)體フォトレジスト生産量は2.7%に過ぎません。 そして1.6%、半導(dǎo)體フォトレジストは輸入に大きく依存しています。


また、2015年には、中國(guó)の長(zhǎng)興化學(xué)、日立化成、日本の旭化成、デュポン、臺(tái)灣の長(zhǎng)春化學(xué)の上位5社のフォトレジスト企業(yè)が89.7%に達(dá)し、國(guó)內(nèi)企業(yè)の市場(chǎng)シェアが不足していました。 10% フォトレジストの主な上場(chǎng)企業(yè)はJingruiとFeikai材料です。



半導(dǎo)體産業(yè)が國(guó)內(nèi)移転を加速


半導(dǎo)體材料は主に集積回路に使用され、中國(guó)の集積回路の応用分野は主にコンピュータ、ネットワーク通信、家電、自動(dòng)車用電子機(jī)器、産業(yè)用制御などであり、上位3つの合計(jì)は83%を占めています。 2015年には、集積回路産業(yè)発展の國(guó)家概要などの一連の政策の実施により、國(guó)家集積回路産業(yè)投資基金が機(jī)能し始め、中國(guó)のIC産業(yè)は急速な成長(zhǎng)を維持した。


中國(guó)半導(dǎo)體産業(yè)協(xié)會(huì)の統(tǒng)計(jì)によると、2015年の中國(guó)のIC産業(yè)の売上高は前年比19.7%増の3,6009億8000萬に達(dá)し、2016年の中國(guó)のIC産業(yè)売上高は前年同期比20.1%の433.55億元に達(dá)した。 2018年1月から9月にかけて、中國(guó)のIC業(yè)界の売上高は前年同期比22.4%増の4,461億5千萬元に達(dá)した。 2020年までに、中國(guó)の半導(dǎo)體産業(yè)は20%以上の成長(zhǎng)率を維持すると推定されています。



2014年6月に、國(guó)家は「國(guó)家集積回路産業(yè)発展促進(jìn)概要」を発行し、2014年9月には、「中國(guó)國(guó)家開発金融公庫(kù)」からの「國(guó)家集積回路産業(yè)発展促進(jìn)概要」、國(guó)家國(guó)家集積回路産業(yè)投資基金を?qū)g施した。 チャイナモバイル、Ziguang Communication、Huaxin Investment、その他の企業(yè)は1,200億元の初期規(guī)模を開始し、2017年6月までに、その規(guī)模は1,387億元に達(dá)した。


國(guó)家基金のWang Zhanqi會(huì)長(zhǎng)は、2017年11月30日現(xiàn)在、大規(guī)?;黏?6の企業(yè)を含む62のプロジェクトを効果的に行い、累積実効コミットメント額は1,063億元、実際の投資は794億元であると述べた。 現(xiàn)在、大規(guī)模ファンドは、製造、設(shè)計(jì)、包裝および試験、設(shè)備資材などの産業(yè)チェーンのあらゆる側(cè)面への投資を完全に網(wǎng)羅しており、各リンクへの投資の割合はそれぞれ63%、20%、10%、および7%です。


上位3社の投資は70%以上を占め、それが効果的に主要企業(yè)の中核的競(jìng)爭(zhēng)力を促進(jìn)しました。 最新のデータによると、ビッグファンドの第一段階は67のプロジェクトに投資しており、プロジェクトの累積投資コミットメントは1,188億元に達(dá)し、実際の投資は818億元でした。


現(xiàn)在、大きな基金の第二段階は國(guó)務(wù)院に報(bào)告され承認(rèn)されており、資金調(diào)達(dá)の過程にあります。 ビッグファンドの第2段階の資金調(diào)達(dá)規(guī)模は、第1段階を超えると予想され、それは1500億から2000億元と予想されています。 社會(huì)資本を扇動(dòng)する1:3の比率によると、第1段階と第2段階の合計(jì)規(guī)模は1兆元を超えると予想され、それが國(guó)內(nèi)の集積回路産業(yè)の加速的発展を推進(jìn)するでしょう。


さらに、SEMI統(tǒng)計(jì)によると、半導(dǎo)體業(yè)界に対する自治體、Intel、UMC、Powerchip、Samsung、Hynix、SMICおよびその他の主要メーカーからのサポートの増加により、2017年から2019年の間に、それが予想されます。 世界には62の新しいウエハ処理ラインがあり、そのうち26は中國(guó)の新しいもので、2018年には10の12インチウエハファブが中國(guó)にあり、すべての大手ICメーカーは中國(guó)で市場(chǎng)を拡大しています。 、IC製造能力を拡大する。 半導(dǎo)體材料は半導(dǎo)體製造のあらゆる面から切り離せないものであり、半導(dǎo)體材料に対する需要は増大し、上流の半導(dǎo)體材料は確実に利益を得るであろう。



チップ輸入代替スペースは巨大です、半導(dǎo)體材料の利點(diǎn)


中國(guó)の半導(dǎo)體市場(chǎng)の需要が大きく、國(guó)內(nèi)供給の大部分が入手できないため、中國(guó)の集積回路(一般にチップと呼ばれる)の輸入は膨大であり、近年、チップの輸入量は2000億ドルを超えて安定してきました。 、14.6%の前年同期比の増加、2018年には、中國(guó)のチップ輸入は3,121.58億ドル、19.8%の増加に達(dá)した。


関稅統(tǒng)計(jì)によると、過去10年間で中國(guó)のチップ輸入量は原油輸入量を上回っており、2018年には中國(guó)の原油輸入量は2,402億6200萬ドルに達(dá)し、中國(guó)最大の輸入商品であり続けています。



貿(mào)易赤字は年々拡大しており、2010年の集積回路の貿(mào)易赤字は1,277億4000萬ドル、2017年の集積回路の貿(mào)易赤字は1,932億2400萬ドル、2018年の集積回路の貿(mào)易赤字は22742億2000萬ドルでした。 そのような大きな貿(mào)易赤字は、中國(guó)の集積回路市場(chǎng)の長(zhǎng)期的な深刻な不足を反映しており、輸入代替品の市場(chǎng)は巨大です。

*免責(zé)事項(xiàng):この記事はもともと作者によって作成されました。 この記事の內(nèi)容は作者の個(gè)人的な見解であり、半導(dǎo)體業(yè)界の見直しの転記は異なる見解を示すことだけを目的としており、半導(dǎo)體業(yè)界がこの見解の支持と支持を示すことを意味するのではありません。