來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自《新材料產(chǎn)業(yè)》2019年第3期，謝謝。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石，是支撐當(dāng)前經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。第3代半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，其發(fā)展壯大對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)、國(guó)防安全、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)、社會(huì)民生等領(lǐng)域均具有重要戰(zhàn)略意義，是當(dāng)前世界各國(guó)科技競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)之一。

2018年，美國(guó)、歐盟等繼續(xù)加大第3代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)支持力度，國(guó)際廠商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。國(guó)內(nèi)受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等因素，第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。

技術(shù)層面，SiC襯底和外延方面，國(guó)內(nèi)仍然是4英寸為主，已開發(fā)出6英寸產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)小批量供貨；國(guó)內(nèi)批量生產(chǎn)的GaN襯底仍以2英寸為主。國(guó)內(nèi)600 ～3300V SiC肖特基二極管技術(shù)較為成熟，產(chǎn)業(yè)化程度繼續(xù)提升，目前也已研制出1200～1700V SiC金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）器件，但可靠性較低，目前處于小批量生產(chǎn)階段；國(guó)內(nèi)全SiC功率模塊，主要指標(biāo)為1200V /50～600A、650V /900A。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）方面，國(guó)內(nèi)2018年推出了650V/10 ～30A的GaN晶體管產(chǎn)品；GaN微波射頻器件方面，國(guó)產(chǎn)GaN射頻放大器已成功應(yīng)用于基站，Sub 6 GHz和毫米波GaN射頻功率放大器也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)業(yè)方面，在半導(dǎo)體對(duì)外投資受阻情況下，國(guó)內(nèi)自主創(chuàng)新發(fā)展是必由之路。2018年，在政策和資金的雙重支持下，國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體領(lǐng)域新增3條SiC產(chǎn)線。投資方面GaN熱度更高，據(jù)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟( CASA )不完全統(tǒng)計(jì)，2018年國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域共有8起大的投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，其中4起與GaN材料相關(guān)，涉及金額220億元。此外，與國(guó)際企業(yè)并購(gòu)熱潮對(duì)比，國(guó)內(nèi)2018年僅有2起。

生產(chǎn)模式上，大陸在第3代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域形成了從襯底到模組完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，器件制造方面以IDM模式為主，且正在形成“設(shè)計(jì)—制造—封測(cè)”的分工體系；大陸代工產(chǎn)線總體尚在建設(shè)中，尚未形成穩(wěn)定批量生產(chǎn)。市場(chǎng)方面，根據(jù)CASA統(tǒng)計(jì)，2018年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)SiC和GaN電力電子器件的規(guī)模約為28億元，同比增長(zhǎng)56%，預(yù)計(jì)未來(lái)5年復(fù)合增速為38%。Ga N微波射頻應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模約為24.49億元，未來(lái)5年復(fù)合增速有望達(dá)60%。

區(qū)域方面，我國(guó)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初步形成了京津冀、長(zhǎng)三角、珠三角、閩三角、中西部5大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域，其中，長(zhǎng)三角集聚效應(yīng)凸顯，占從2015年下半年至2018年底投資總額的64%。此外，北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進(jìn)。

總體而言，我國(guó)第3代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)都取得較好進(jìn)展，但在材料指標(biāo)、器件性能等方面與國(guó)外先進(jìn)水平仍存在一定差距，市場(chǎng)繼續(xù)被國(guó)際巨頭占據(jù)，國(guó)產(chǎn)化需求迫切。

2016年至今，中華人民共和國(guó)科學(xué)技術(shù)部先后支持第3代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目32項(xiàng)，其中，2018年啟動(dòng)7項(xiàng)，包括“新能源汽車”、“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”以及“智能電網(wǎng)技術(shù)與裝備”3個(gè)重點(diǎn)專項(xiàng)（見表1）。且上述專項(xiàng)都結(jié)合了具體應(yīng)用需求，對(duì)第3代半導(dǎo)體材料、器件研發(fā)和應(yīng)用給予全面支持。

表1 2018 年度國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)

截至目前，部分前期部署的項(xiàng)目已獲得階段研發(fā)成果。具體如下：制備出低缺陷6英寸N型SiC單晶襯底樣品，微管密度≤ 1個(gè)/ cm2，電阻率≤ 30mΩ·cm，已達(dá)到“開盒即用”要求；解決了大尺寸晶體單一晶型控制技術(shù)，獲得低應(yīng)力4H—SiC晶型，電阻率≤ 30mΩ·cm，電阻率不均勻性小于10%。Si基GaN材料外延生長(zhǎng)與器件研制取得重要突破，通過(guò)調(diào)控應(yīng)力與抑制缺陷，在Si襯底上外延生長(zhǎng)出無(wú)裂紋的GaN材料，晶體質(zhì)量達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，并在國(guó)際上首次澄清了C雜質(zhì)在GaN中替代N位，成功研制了國(guó)際首支Si襯底GaN基激光器，并實(shí)現(xiàn)了室溫連續(xù)電注入激射，采用p—GaN柵極結(jié)構(gòu)研制出常關(guān)型GaN基HEMT器件，器件閾值電壓＋ 2.0V和溝道遷移率1 500cm2/（V·s），達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)射頻芯片批量商用，成功研制了10W的毫米波GaN功率MMIC，器件效率超過(guò)67%，寬帶器件效率超過(guò)61.5%，線性增益15d B；MTTF@225 ℃，超過(guò)100萬(wàn)h，器件可靠性達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平；已在5 000余臺(tái)商用基站中使用了4萬(wàn)多只國(guó)產(chǎn)GaN器件。研制出GaN基高效黃光LED（電光轉(zhuǎn)換效率從2016年初的15%提升至目前的26.52%，565n m @20A / cm2），并基于這一成果，研發(fā)了五基色LED光源，色溫2 941K，顯指高達(dá)97.5，效率121.3lm/W，達(dá)到了實(shí)用化水平。

2018年以來(lái)，從中央到地方政府對(duì)集成電路、第3代半導(dǎo)體均給予了高度重視，紛紛出臺(tái)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展扶持政策。從政策的出臺(tái)部門和發(fā)布時(shí)間密度可以看出，國(guó)家正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，且集成電路是各級(jí)政策的支持重點(diǎn)。

中央部委全方位支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2018年，國(guó)務(wù)院及工業(yè)和信息化部（簡(jiǎn)稱“工信部”）、國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)（簡(jiǎn)稱“國(guó)家發(fā)改委”）、財(cái)政部、國(guó)家稅務(wù)總局、中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)等國(guó)家部委先后從產(chǎn)業(yè)發(fā)展、科研管理、稅收政策、知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)移、資產(chǎn)證券化、對(duì)臺(tái)合作等多方面出臺(tái)政策，全方位支持集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（見表2）。

表2 2018 年國(guó)家部委關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策匯總

地方政府積極出臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策

據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2018年，包括北京、上海、深圳等超過(guò)13個(gè)地方政府出臺(tái)了支持半導(dǎo)體，特別是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)政策，以培育經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)新動(dòng)能，搶占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一輪發(fā)展先機(jī)（見表3）。

表3 2018 年各地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總

其中，2018年8月，深圳坪山區(qū)發(fā)布《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見稿）》（簡(jiǎn)稱《措施》），該《措施》從產(chǎn)業(yè)資金、發(fā)展空間、企業(yè)落地、人才隊(duì)伍、核心技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建等方面對(duì)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行全方位支持。

為深入實(shí)施《北京市加快科技創(chuàng)新發(fā)展新一代信息技術(shù)等十個(gè)高精尖產(chǎn)業(yè)的指導(dǎo)意見》，2018年11月，北京順義區(qū)出臺(tái)了《順義區(qū)促進(jìn)高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)施意見（簡(jiǎn)稱“《實(shí)施意見》”）》，該《實(shí)施意見》涵蓋5大方面18項(xiàng)支持政策，全力吸引高端人才入?yún)^(qū)，加速科技成果轉(zhuǎn)化，實(shí)現(xiàn)包括第3代半導(dǎo)體在內(nèi)的高精尖產(chǎn)業(yè)快速健康發(fā)展。另?yè)?jù)消息稱，中關(guān)村國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)管委會(huì)與北京市順義區(qū)政府正在聯(lián)合制定促進(jìn)第3代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)政策，上述文件若出臺(tái)，將對(duì)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在北京順義實(shí)現(xiàn)快速集聚發(fā)展提供有力條件保障。

此外，2018年12月，江蘇省張家港市召開《張家港市化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》發(fā)布會(huì)，該規(guī)劃結(jié)合國(guó)內(nèi)外化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)，明確了張家港未來(lái)5年化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略定位、發(fā)展目標(biāo)、發(fā)展原則、空間承載和重點(diǎn)任務(wù)，并提出了張家港在半導(dǎo)體照明、化合物功率半導(dǎo)體、集成光電等方向的發(fā)展重點(diǎn)和差異化實(shí)施路徑，并從組織保障、資金支持、人才支撐、創(chuàng)新生態(tài)等方面提出了保障措施。

 SiC 襯底方面

國(guó)內(nèi)仍然是4英寸為主，6英寸襯底已開始小批量供貨，6英寸襯底的微管密度控制在5個(gè)/ cm2以下。目前已經(jīng)開發(fā)出低缺陷密度6英寸碳化硅（SiC）N型襯底，SiC襯底材料的微管密度（MPD）低于1個(gè)/ cm2。SiC外延片方面，實(shí)際用于器件生產(chǎn)的4英寸外延片最大厚度約50μ m，國(guó)內(nèi)已開始小批量生產(chǎn)6英寸SiC外延片。

 GaN 襯底方面

國(guó)內(nèi)批量生產(chǎn)的襯底以2英寸為主，位錯(cuò)密度已經(jīng)降到105/ cm2，實(shí)驗(yàn)室里可以降到104/ cm2。已開發(fā)出自支撐4英寸襯底，缺陷密度降到106/cm2。

GaN 異質(zhì)外延方面

國(guó)內(nèi)多家企業(yè)研制出8英寸Si基GaN外延片，耐壓在650V /700V左右，SiC和藍(lán)寶石襯底的GaN外延片的尺寸可達(dá)6英寸。

Ga2O3 襯底方面

國(guó)內(nèi)仍處于研究階段。山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室首次獲得了機(jī)械剝離技術(shù)，一步法獲得高質(zhì)量單晶襯底，但對(duì)于大尺寸襯底的CMP加工技術(shù)仍處于研究階段。

Ga2O3 外延方面

目前受限于β—Ga2O3單晶襯底的尺寸，同質(zhì)外延片的尺寸在2英寸以內(nèi)，主要采用MBE的方式進(jìn)行，但MOCVD已開始被用于MOSFET器件結(jié)構(gòu)的同質(zhì)外延；異質(zhì)外延主要采用藍(lán)寶石襯底，有利于實(shí)現(xiàn)Ga2O3薄膜的大尺寸、低成本制備。

SiC 器件方面

國(guó)內(nèi)600 ～3 300V SiC肖特基二極管技術(shù)較為成熟，產(chǎn)業(yè)化程度繼續(xù)提升。目前已研制出了1 200 ～1 700V SicmOSFET器件，因可靠性問(wèn)題尚未完全解決，目前處于小批量生產(chǎn)階段。

SiC 模塊方面

國(guó)內(nèi)2018年推出1200V/50 ～600A、650V/900A全SiC功率模塊。

GaN 電力電子器件方面

國(guó)內(nèi)推出了650V /10 ～30A的GaN晶體管產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)某知名化合物半導(dǎo)體代工企業(yè)在2018年四季度完成650V GaN電力電子器件生產(chǎn)工藝。

GaN 微波射頻器件方面

國(guó)產(chǎn)GaN射頻放大器已成功應(yīng)用于基站，Sub6 GHz和毫米波GaN射頻功率放大器也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，工藝節(jié)點(diǎn)涵蓋0.5 ～0.15μm，并在研發(fā)0.09μm工藝。

GaN 光電器件方面

2018年，我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步提升，部分技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先。功率型白光LED產(chǎn)業(yè)化光效達(dá)到180 lm / W，與國(guó)際先進(jìn)水平基本持平；LED室內(nèi)燈具光效超過(guò)100 lm / W，室外燈具光效超過(guò)130 lm /W。功率型Si基LED芯片產(chǎn)業(yè)化光效達(dá)到170 lm/W；白光OLED（面積<10mm ×10mm）產(chǎn)業(yè)化光效達(dá)到150 lm / W，白光OLED（面積>80m m ×80m m）產(chǎn)業(yè)化光效達(dá)到100 lm/W。

2018年，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)環(huán)境偏緊和國(guó)際形勢(shì)緊張的大背景下，我國(guó)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)向前推進(jìn)。據(jù)初步統(tǒng)計(jì)，2018年我國(guó)第3代半導(dǎo)體整體產(chǎn)值約為7 423億元（包括半導(dǎo)體照明），較2017年同比增長(zhǎng)近13%。其中電力電子產(chǎn)值規(guī)模近12.3億元，較上年增長(zhǎng)23%以上；微波射頻產(chǎn)值規(guī)模36.7億元，較上年增長(zhǎng)了20% ；光電（主要為半導(dǎo)體照明）產(chǎn)業(yè)規(guī)模為7 374億元，較上年增長(zhǎng)近13%（見圖1）。

美國(guó)以國(guó)家安全為由，聯(lián)合歐美、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家，實(shí)施對(duì)中國(guó)等發(fā)展中國(guó)家的高端技術(shù)封鎖，我國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的海外并購(gòu)之路艱難。此外，“中興事件”更揭露了我國(guó)在半導(dǎo)體等核心技術(shù)方面的缺失，為擺脫受制于人的卡脖子局面，真正實(shí)現(xiàn)信息安全領(lǐng)域的自主可控，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體自主創(chuàng)新發(fā)展需求迫切。在政策和資金的大力支持下，2018年，國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不斷深入，企業(yè)積極擴(kuò)產(chǎn)，多條產(chǎn)線（中試線）獲得啟用。

產(chǎn)線陸續(xù)開通，產(chǎn)能不斷提升

據(jù)CASA不完全統(tǒng)計(jì)，2018年國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體領(lǐng)域新增3條6英寸SiC產(chǎn)線。2018年國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)線建設(shè)順利，新增3條6英寸（兼容4英寸）SiC產(chǎn)線（中試線），分別是株洲中車時(shí)代、三安集成和國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院（中試線）的6寸線，均已完成調(diào)試開始流片。除上述3條線外，國(guó)內(nèi)泰科天潤(rùn)和中電科55所已有SiC產(chǎn)線，至此國(guó)內(nèi)目前至少已有5條SiC產(chǎn)線（包括中試線）。

氮化像投資升溫，碳化硅熱度持平

2018年國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)熱度不減，但重點(diǎn)投資方向略有變化（見表4）。據(jù)CASA不完全統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域共有8起大的投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，已披露的總投資額至少達(dá)到639億元。

表4 2018 年國(guó)內(nèi)第3 代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資擴(kuò)產(chǎn)詳情

從擴(kuò)產(chǎn)的方向上看，有4起與氮化稼（GaN）材料相關(guān)，包括外延及芯片、電力電子及射頻器件等，投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目總額為220億元（與2017年的19億元相比，增加了近11倍），投資企業(yè)包括華燦光電、英諾賽科、聚能晶源以及聚力成半導(dǎo)體；碳化硅（SiC）材料相關(guān)的襯底、外延及芯片、封裝測(cè)試、電力電子器件等項(xiàng)目的投資擴(kuò)產(chǎn)總共4起，已披露的總額約為60億元（與2017年的65億元基本持平），投資企業(yè)包括中科院微電子研究所、臺(tái)灣強(qiáng)茂集團(tuán)、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司以及山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司。其他以先進(jìn)半導(dǎo)體集成電路為名義的投資1起，投資金額近359億元，其中涉及建設(shè)一條SiC電力電子器件生產(chǎn)線。

并購(gòu)案例雖少，交易金額可觀

國(guó)外企業(yè)并購(gòu)熱潮形成鮮明對(duì)比的是，國(guó)內(nèi)企業(yè)并購(gòu)交易量?jī)H有2例，但并購(gòu)金額可觀。其中聞泰科技擬收購(gòu)安世半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“安世半導(dǎo)體”）成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體歷史上最大并購(gòu)案。而根據(jù)聞泰科技最新公告顯示，公司共需支付交易對(duì)價(jià)201.49億元。根據(jù)前期披露的現(xiàn)金購(gòu)買方案，第一步為114.35億元現(xiàn)金收購(gòu)，2018年5月已經(jīng)支付其第一批款57.175億元。目前并購(gòu)仍在進(jìn)行中，若此次收購(gòu)?fù)瓿珊螅勌┛萍寂c安世半導(dǎo)體將形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，進(jìn)一步打開下游消費(fèi)電子與汽車市場(chǎng)。安世半導(dǎo)體主要生產(chǎn)Si分立器件、邏輯芯片和Powe rMos芯片等產(chǎn)品，此外也開始布局第3代半導(dǎo)體電力電子器件產(chǎn)品。2018年4月19日，科銳（Cree）宣布與安世半導(dǎo)體簽署非排他性、全球性的付費(fèi)專利許可協(xié)議。通過(guò)這一協(xié)議，安世半導(dǎo)體將有權(quán)使用Cree的GaN電力電子器件專利組合，包括了超過(guò)300項(xiàng)已授權(quán)美國(guó)和國(guó)外專利，涵蓋了HEMT（高電子遷移率場(chǎng)效晶體管）和G aN氮化鎵肖特基二極管的諸多創(chuàng)新。

2018年10月30日，上海積塔半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“積塔半導(dǎo)體”）與先進(jìn)半導(dǎo)體訂立合并協(xié)議，積塔半導(dǎo)體吸收合并先進(jìn)半導(dǎo)體。先進(jìn)半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)大型集成電路芯片制造商，主營(yíng)業(yè)務(wù)為制造及銷售5、6及8寸半導(dǎo)體晶圓。先進(jìn)半導(dǎo)體還是國(guó)內(nèi)最早從事汽車電子芯片、IGBT芯片制造的企業(yè)。

積塔半導(dǎo)體成立于2017年，是華大半導(dǎo)體旗下全資子公司，主要從事半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓，電子元器件、電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)軟件及輔助設(shè)備的銷售，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)集成，貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。這次成功合并，可使積塔半導(dǎo)體和先進(jìn)半導(dǎo)體在人力資源、質(zhì)量監(jiān)控、工藝技術(shù)等方面充分整合，為先進(jìn)半導(dǎo)體提供資金支援和其他行業(yè)資源，還將減少土地與廠址選擇的限制和降低潛在關(guān)聯(lián)交易的風(fēng)險(xiǎn)。

整體而言，我國(guó)大陸地區(qū)在第3代半導(dǎo)體電力電子和射頻領(lǐng)域形成了從襯底到模組完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系。器件生產(chǎn)方面以IDM模式為主，且正在形成“設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)”的分工體系。類似于國(guó)際企業(yè)，國(guó)內(nèi)在第3代半導(dǎo)體電力電子和射頻領(lǐng)域以IDM模式為主，但不同的是，國(guó)內(nèi)的代表企業(yè)多是初創(chuàng)企業(yè)，而國(guó)際企業(yè)以傳統(tǒng)的Si、GaAs器件企業(yè)為主。在分工體系方面，由于國(guó)內(nèi)第3代半導(dǎo)體在電力電子和射頻產(chǎn)業(yè)尚處于產(chǎn)業(yè)化初期，產(chǎn)業(yè)規(guī)模相對(duì)較小，無(wú)法單獨(dú)支撐企業(yè)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，因而參與分工的企業(yè)通常以傳統(tǒng)的Si、GaAs或LED芯片業(yè)務(wù)為主。

芯片設(shè)計(jì)方面，參與企業(yè)在增多，但數(shù)量仍然較少；代工環(huán)節(jié)，大陸產(chǎn)線尚在建設(shè)中，無(wú)法保障穩(wěn)定批量生產(chǎn)，目前主要依賴臺(tái)灣企業(yè)進(jìn)行代工。封測(cè)方面，傳統(tǒng)的封裝材料無(wú)法充分發(fā)揮第3代半導(dǎo)體的性能，尤其是耐高溫的優(yōu)勢(shì)，參與企業(yè)均在積極開發(fā)適合于第3代半導(dǎo)體材料的封裝材料和結(jié)構(gòu)

在5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通、國(guó)防軍備等下游應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展帶動(dòng)下，第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成為未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。2018年是第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要窗口期，創(chuàng)新發(fā)展時(shí)機(jī)日趨成熟，眾多企業(yè)積極布局，產(chǎn)業(yè)鏈條已經(jīng)形成。當(dāng)前，我國(guó)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初步形成了京津冀、長(zhǎng)三角、珠三角、閩三角、中西部等5大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域（見表5）。

表5 2018 年國(guó)內(nèi)第3 代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展

從2015年下半年至2018年底，已披露的第3代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資總額來(lái)看，5大地區(qū)的投資額占比分別為長(zhǎng)三角區(qū)域（63%）、中西部區(qū)域（14%）、京津冀區(qū)域（6%）、閩三角區(qū)域（5%）、珠三角區(qū)域（2%）。

長(zhǎng)三角地區(qū)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚能力凸顯，投資總額607億元，其中，2018年投資總額超過(guò)550億元（其中積塔半導(dǎo)體的359億元投資以Si電力電子器件產(chǎn)線為主）。北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市在2018年深入部署、多措并舉，有序推動(dòng)第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展（見圖2）。

圖2 2015 年下半年—2018 年各區(qū)域項(xiàng)目投資分布情況